v1
01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
Identifier:nobleid.org/w1/20260515/EBA68ACB
Type:Journal Article
0 views
Embeddable Badge
[](https://nobleid.org/work/w1/20260515/EBA68ACB)